رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSS84PW L6327
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSS84PW L6327-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 150mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount PG-SOT323
المخزون:
12799211
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSS84PW L6327 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
SIPMOS®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
150mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8Ohm @ 150mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 20µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
19.1 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT323
العبوة / العلبة
SC-70, SOT-323
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
BSS84PWL6327
SP000247312
BSS84PW L6327-DG
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BSS84PWH6327XTSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
41686
DiGi رقم الجزء
BSS84PWH6327XTSA1-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
BSS84
المُصنِّع
Good-Ark Semiconductor
الكمية المتاحة
46917
DiGi رقم الجزء
BSS84-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSZ075N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
IPB042N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
BSZ100N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON